A | 安培 (交流有效值或直流) |
a | 安培 (峰值) |
A/D | 模拟到数字 |
AC | 交流电 |
AC/DC | 交流电或直流电 |
ADC | 模数转换器 |
AF | 音频 |
Ah | 安培小时 |
AM | 调幅 |
AWG | 美国线规 |
B | 晶体管基极 |
B | 磁通密度 |
BCD | 二进制编码的十进制 |
BJT | 双极结型晶体管 |
BV | 击穿电压 |
BVCEO | 击穿电压 , 集电极-发射极结反向偏置(基极开路) |
BVCES | 击穿电压 , 集电极-发射极结反向偏置(基极短路) |
BVCOB | 击穿电压 , 集电极-基极结反向偏置(发射极断开) |
BW | 宽带 |
c | 厘 (10-2) |
C | 电容或电容器 |
C | 晶体管基电极 |
C (Q) | 库伦 |
CB | 通用基本配置 |
CC | 普通收集器 |
CE | 共发射极 |
CL | 负载电容 |
CO | 输出电容 |
d | 纤度 (10-1) |
D/A | 模拟转换 |
DC | 直流电 |
DIP | 双列直插式组件 |
E | 晶体管发射极 |
EHF | 极高频率 |
EHV | 超高压 |
ELF | 极低的频率 |
EMF | 电动势 |
EMI | 电磁干扰 |
F | 法拉德 |
f | 频率 |
fab | 共基小信号截止频率 |
fae | 共发射极小信号自关频率 |
FET | 场效应晶体管 |
FF | 触发器 |
FM | 频率调制 |
fosc | 最大振荡频率 |
fr | 共振频率 |
G | 电导 |
G | 千兆 (109 ) |
gm | 小信号跨导 |
gM, gFE | 静电或直流跨导 |
GM, GFE | 大跨导信号 |
H | 亨利 |
H | 磁场强度,磁化通量 |
h | 百克 (102) |
HF | 高频 |
hfb | 共基小信号正向电流传输比 |
hfe | 共发射极小信号正向电流传输比(基极输入) |
hFE | 共发射极直流正向电流传输比,电流增益(IC/IB) |
hrb | 公共基小信号反向传输电压比(发射极输入) |
hrc | 公共集电极小信号反向传输电压比(基极输入) |
hre | 共发射极小信号反向传输电压比(基极输入) |
Hz | 赫兹 |
I | 当前 |
i | 瞬时电流 |
I/O | 输入/输出 |
IB | 基极电流 |
IC | 集成电路 |
IC | 集电极电流 |
ICBO, ICO | 集电极截止电流(发射极开路) |
ICEO | 集电极截止电流(基本开路) |
ICER | 集电极截止电流(指定的基极电阻发射极) |
IE | 发射极电流 |
IEBO | 发射极截止电流(集电极开路) |
Ieff | 有效电流 |
IF | 正向电流(直流) |
iFr | 正向恢复电流(规定瞬时值) |
IO | 输出电流(直流) |
IR | 红外线 |
IR | 反向电流 (直流) |
iR | 反向电流 (峰值) |
iRr | 反向恢复电流(规定瞬时值) |
IS | 二次电流 |
isurge | 浪涌电流 |
IZ | 齐纳电流 |
IZK | 齐纳膝电流 |
IZM | 齐纳最大电流 |
IZT | 齐纳测试电流 |
JFET | 结型场效应晶体管 |
K | 耦合系数 |
k | 公斤 (103) |
kHz | 千赫兹 |
kWh | 千瓦时 |
L | 线圈,电感 |
LC | 电感电容 |
LCD | 液晶显示器 |
LCR | 电感电容电阻 |
LDR | 光敏电阻器 |
LED | 发光二极管 |
LF | 低频 |
LM | 互感 |
LNA | 低噪声放大器 |
LSI | 大规模集成 |
m | 毫 (10-3 ) |
M | 兆丰 (106) |
M | 相互电导 |
MCU | 微控制器 |
MF | 中频 |
MHz | 兆赫 |
MI | 互感 |
mmf | 磁动力 |
MOS | 金属氧化物半导体 |
MOSFET | 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
MPU | 微处理器单元 |
N | 电感器/变压器匝数 |
n | 纳米 (10-9) |
NC | 常闭 |
NC | 没有关联 |
NO | 常开 |
NPN | 负-正-负 |
OP AMP | 运算放大器 |
p | 笔克 (10-12) |
P | 功率 |
p | 瞬时功率 |
PAL | 可编程阵列逻辑 |
PAM | 脉冲幅度调制 |
Pap | 视在功率 |
Pav | 平均功率 |
PCB | 印刷电路板 |
PCM | 脉冲编码调制 |
Pd | 装置功耗(平均) |
PDM | 脉冲持续时间调制 |
PIV | 峰值反向电压 |
PLD | 可编程逻辑器件 |
PLL | 锁相环 |
PM | 调相 |
PNP | 正-负-正 |
POT | 电位计 |
P-P | 峰对峰 |
PPM | 脉冲位置调制 |
PRF | 脉冲重复频率 |
PRT | 脉冲重复时间 |
PWM | 脉冲宽度调制 |
Q | 收费,还有质量 |
q | 瞬时充电 |
Q | 晶体管 |
R | 电阻器 |
RC | 电阻-电容 |
rect | 整流器 |
ref | 参考 |
RF | 无线电频率 |
RFI | 射频干扰 |
RL | 负载电阻 |
RLC | 电阻-电容-电感 |
RMS | 均方根 |
rpm | 每分钟转数 |
SCR | 可控硅整流器 |
SHF | 超高频 |
SIP | 单列直插式组件 |
SMC | 表面贴装组件 |
SMD | 表面贴装装置 |
SMT | 表面贴装技术 |
SNR | 信噪比 |
SO | 小信 |
SOD | 小型二极管 |
SOIC | 小型集成电路 |
SOT | 小型晶体管 |
SPDT | 单刀双掷 |
SW | 短波 |
T | 泰拉 (1012) |
T | 变压器 |
t | 时间 |
T, temp | 温度 |
TA | 环境温度 |
TC | 温度,外壳 |
TC | 时间常数,还有温度系数 |
td | 脉冲延迟时间 |
tf | 脉冲下降时间 |
tfr | 正向恢复时间 |
Tj | 结温 |
tP | 脉冲时间 |
tr | 脉冲上升时间 |
ts | 脉冲存储时间 |
TTL | 晶体管-晶体管逻辑 |
UHF | 超高频 |
UHV | 超高压 |
UJT | 单结晶体管 |
UV | 紫外线 |
V | 伏特 (直流) |
v | 电压(峰值),瞬时电压 |
VA | 伏安 |
Va-c | 伏特 (AC) |
VBB | 基极电压(DC)电源 |
VBE | 基极至发射极电压(DC) |
VCC | 集电极电压(DC)电源 |
VCE | 集电极至发射极电压(DC) |
VCEsat | 集电极至发射极饱和电压 |
VEE | 发射极电压(DC)电源 |
VF | 正向电压降 |
VCO | 压控振荡器 |
VHF | 很高的频率/td> |
Vin | 输入电压 |
VLF | 频率极低 |
Vm, Vmax | M最大电压 |
VO, Vout | 输出电压(直流) |
Vp | 一次电压 |
VR | 反向电压(直流) |
Vr | 反向电压(峰值) |
W | 瓦数(最大、平均或均方根) |
w | 瓦数(峰值) |
XC | 电容电抗 |
XL | 感应电抗 |
Y | 准入 |
Z | 阻抗 |
Zin | 输入阻抗 |
Zo | 输出阻抗 |
Zp | 初级阻抗 |
Zs | 次级阻抗 |